准自由二维 HfS_2 团簇的电子结构
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
团簇研究迄今只涉及三维自由团簇或界面处有强电子耦合的衬底上团簇。制备自由且取向一致的二维团簇通常不可能，因为这两个条件一般互斥。我们展示一种生长过渡金属二硫属化物二维团簇的新方法：它们仅弱绑定于衬底，即准自由，但均显示同一取向，从而允许角分辨光电子发射实验。结合扫描隧穿显微镜，这首次提供了研究准自由二维团簇尺寸与其关联电子结构间相关性的可能。对于用范德瓦耳斯外延生长的二维 HfS_2 团簇，我们证明电子态的 k_parallel 色散在团簇直径大于约 100 nm 时即已出现。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9909411,
title = {Electronic structure of quasi free 2 dimensional HfS_2 clusters},
author = {M. Traving and C. Kreis and R. Adelung and L. Kipp and M. Skibowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9909411},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures