磁性半导体 CdCr_2Te_4 的电子结构：一种可能的自旋依赖对称性滤波器
材料科学
2013-11-12 v1
摘要
我们利用密度泛函理论、其通过 onsite Hubbard U 相互作用的扩展形式以及屏蔽杂化泛函交换势，对尖晶石结构 CdCr_2Te_4 的电子和磁结构进行了理论 investigate。我们发现，在后一种方法下，其基态为半导体态；在此磁性半导体系统中，我们计算了复能带结构，发现了一种缓慢衰减的消逝 态，该态可能适用于实现自旋依赖对称性滤波器效应。
引用
@article{arxiv.1311.2265,
title = {Electronic Structure of Magnetic Semiconductor CdCr_2Te_4: A Possible Spin-Dependent Symmetry Filter},
author = {Hunter Sims and Karthik Ramasamy and William H. Butler and Arunava Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.2265},
year = {2013}
}
备注
11 pages, 3 figures