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彭罗斯镶嵌近似体中的电子结构与输运

材料科学 2014-08-19 v1 无序系统与神经网络

摘要

我们给出了彭罗斯镶嵌近似体中电子结构和输运的数值计算。完美近似体的电子结构显示出尖峰状的态密度和局域化趋势,该趋势在能带中部更为显著。在能带边缘附近,行为更类似于自由电子。这些能带结构计算,特别是能带标度行为,表明与正常弹道晶体相比存在反常量子扩散。这一点通过量子扩散的数值计算得到证实,该计算显示出从长时间的正常弹道传播到短时间的反常(可能为绝缘体-like)行为的转变。针对若干近似体计算并详述了这一转变的时间尺度 t*(E)。在弛豫时间近似的背景下讨论了其对电子电导率的影响。电导率呈现类金属或非类金属行为,取决于缺陷引起的散射时间与时间尺度 t*(E) 的比较。

关键词

引用

@article{arxiv.1312.3205,
  title  = {Electronic structure and transport in approximants of the Penrose tiling},
  author = {Guy Trambly de Laissardière and Attila Szállás and Didier Mayou},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1312.3205},
  year   = {2014}
}

备注

10 pages, 3 figures