拓扑绝缘体候选材料 CaAgAs 的电子性质
材料科学
2017-12-18 v3
摘要
物质的拓扑相提供了观察许多奇异性质的机会，例如拓扑绝缘体中以狄拉克锥形式存在的二维拓扑表面态，外尔半金属中通过开放费米弧的手性输运等。然而，这些性质仅能影响输运特性，因此只有当拓扑现象发生在费米能级附近时才具有应用价值。CaAgAs 是一个有希望的候选材料，其中第一性原理计算预测在费米能级处存在节线，当包含自旋轨道耦合时会转变为拓扑绝缘体。在本报告中，我们利用角分辨光电子能谱 (ARPES)、第一性原理计算和输运测量研究了 CaAgAs 的电子结构。ARPES 结果表明，体态价带在 gamma 点穿过费米能级，并且通过将费米能级移动 -0.5 eV，其能带色散与第一性原理计算紧密吻合。ARPES 结果与我们的输运测量结果吻合良好，后者显示存在丰富的 p 型载流子。
引用
@article{arxiv.1708.07814,
title = {Electronic properties of topological insulator candidate CaAgAs},
author = {Jayita Nayak and Nitesh Kumar and Shu-Chun Wu and Chandra Shekhar and Joerg Fink and Emile E. D. Rienks and Gerhard H. Fecher and Yan Sun and Claudia Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.07814},
year = {2017}
}
备注
4 Figures