原子级薄层 MoS2 中的电场屏蔽：层间耦合的作用
介观与纳米尺度物理
2013-02-13 v2 材料科学
摘要
本研究旨在通过静电力显微镜结合非线性 Thomas-Fermi 理论来解释实验结果，从而研究单层及少层 MoS2 薄片的静电屏蔽效应。我们发现，解耦层的连续介质模型虽然能令人满意地重现石墨烯和石墨的静电屏蔽，却无法解释实验观测结果。另一方面，引入层间跳跃参数的三维模型能够成功解释 MoS2 纳米层中观测到的电场屏蔽现象，指出了层间耦合在 MoS2 屏蔽中的重要作用。
引用
@article{arxiv.1211.0574,
title = {Electric field screening in atomically thin layers of MoS2: the role of interlayer coupling},
author = {Andres Castellanos-Gomez and Emmanuele Cappelluti and Rafael Roldán and Nicolás Agraït and Francisco Guinea and Gabino Rubio-Bollinger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.0574},
year = {2013}
}
备注
13 pages, 3 figures, include supporting information