少层石墨烯薄膜中电荷屏蔽的特定特征
介观与纳米尺度物理
2013-11-05 v1
摘要
我们提出了一种非线性 Thomas-Fermi 理论，用于描述包含两个带电衬底层且由少层石墨烯薄膜隔开的系统中的电荷屏蔽现象。我们表明，通过增加界面处的电荷，系统可以从弱屏蔽机制（整个薄膜响应外部电荷）转变为强屏蔽机制（外部电荷由限制在边界石墨烯层中的表面电荷分布进行屏蔽）。从弱屏蔽到强屏蔽的转变被证明发生得相对迅速，且当施加的外部电荷/外场达到特定的交叉量级时发生。文中讨论了实验观测预测交叉现象的可能性。
引用
@article{arxiv.1311.0506,
title = {Specific features of electric charge screening in few-layer graphene films},
author = {Natalya A. Zimbovskaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.0506},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 3 figures