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层堆叠对石墨烯组合拉曼模式的影响

介观与纳米尺度物理 2011-06-07 v1

摘要

我们在二氧化硅衬底上的单层(SLG)、双层、少层以及非公度双层石墨烯(IBLG)中,观察到了1650–2300 cm-1范围内的新组合模式。约1750 cm-1处的M带在SLG和IBLG中均被抑制。由于iTA和LO声子的组合,观察到了约1860 cm-1(iTALO-)处的峰。该峰的强度随层数增加而降低,并且在本体石墨中该峰消失。在SLG中,两个先前未被识别的模式,约1880 cm-1(iTALO+)和约2220 cm-1(iTOTA),被初步指认为石墨烯布里渊区K点附近的组合模式。观察到iTALO+(iTOTA)模式的峰频率随石墨烯层数增加而线性增加(减少)。

关键词

引用

@article{arxiv.1106.1153,
  title  = {Effects of Layer Stacking on the Combination Raman modes in Graphene},
  author = {Rahul Rao and Ramakrishna Podila and Ryuichi Tsuchikawa and Jyoti Katoch and Derek Tishler and Apparao M. Rao and Masa Ishigami},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1106.1153},
  year   = {2011}
}

备注

11 Pages, 4 Figures