马约拉纳线中的有效 g 因子
介观与纳米尺度物理
2018-10-08 v2 超导电性
摘要
我们利用亚隙态的有效 g 因子 g*，在具有外延 Al 壳层的混合 InAs 纳米线中研究超导态密度如何在半导体核与金属壳层之间分布。我们发现，通过栅压控制降低纳米线中的载流子密度时，g* 呈现阶梯状降低，且硬隙得到改善。这些观测结果与马约拉纳器件相关，后者需要可调的载流子密度以及超过近邻超导体的 g 因子的 g*。此外，我们观察到亚隙谱中隙的闭合与重开，这与零偏压电导峰的出现同时发生。
引用
@article{arxiv.1710.04300,
title = {Effective g-factor in Majorana Wires},
author = {S. Vaitiekėnas and M. T. Deng and J. Nygård and P. Krogstrup and C. M. Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.04300},
year = {2018}
}