Ti 底层厚度对 TbFe 薄膜磁各向异性的影响
介观与纳米尺度物理
2020-11-10 v1
摘要
在本研究中，我们探讨 Ti 底层厚度（UL：0–40 nm）对 TbFe 薄膜结构、磁性与微观性质的影响。结构分析确认了随着 UL 厚度增加，Ti 与 TbFe 层界面处的混合。面外（OOP）矫顽力（Hc）与饱和场（Hs）随 UL 厚度增加逐渐增大，与界面混合无关。对于 UL = 10 nm，畴对比度与 OOP 杂散场强度增强，这可能是由于 d-d 杂化主导了界面粗糙度的影响。而对于 UL = 20 与 40 nm，界面粗糙度的程度主导了杂化效应，结果杂散场恶化。通过放置 20 nm 的 UL，Hc 比较无 UL 的 TbFe 体系增加了近 6 倍。因此，我们观察到高 OOP Hc 与近乎零 OOP 杂散场共存于样品中的状态。大面积上的磁化反转研究揭示了所有薄膜中的畴形核随后畴壁运动。通过变化 Ti UL 厚度来调节磁性的思路可能在自旋电子学应用中有所用处。
引用
@article{arxiv.2011.04068,
title = {Effect of Ti underlayer thickness on the magnetic anisotropy of TbFe thin films},
author = {Ajit Kumar Sahoo and J. Arout Chelvane and J. Mohanty},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.04068},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 5 figures