非平衡声子对n型GaAs量子阱中热电子自旋弛豫的影响
材料科学
2010-12-13 v1
摘要
我们研究了非平衡纵向光学声子对n型GaAs量子阱中热电子自旋弛豫的影响。由于有限的弛豫率，纵向光学声子在面内电场作用下被电子驱动至非平衡态。随后，非平衡声子通过改变电子加热和漂移来影响电子自旋弛豫特性。由于非平衡声子存在下电子加热增强，从而电子-声子散射增强，自旋弛豫时间被延长。大致与电子漂移速度成正比的旋进频率，可以增加（在低电场和/或高晶格温度下）或减少（在高电场和/或低晶格温度下）。当电子密度高且杂质密度低时，非平衡声子效应更为显著。
引用
@article{arxiv.1001.2626,
title = {Effect of nonequilibrium phonons on hot-electron spin relaxation in n-type GaAs quantum wells},
author = {P. Zhang and M. W. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.2626},
year = {2010}
}
备注
6 pages, 3 figures