次近邻跃迁对单粒子激发的影响

在方晶格上半填充单轨道 Hubbard 模型中，我们使用基于精确对角化 + 蒙特卡洛的模拟方法，研究有限温度下次近邻跃迁对单粒子谱函数的影响。我们发现，存在于 Néel 温度 $T_N$ 与相对较高温度 $T^*$ 之间态密度中的类赝能隙凹陷，伴随着沿高对称方向以及沿正常态费米面空穴与粒子激发能量的显著不对称性。沿正常态费米面从 $(\pi/2, \pi/2)$ 移向 $(\pi, 0)$ 时，空穴激发能量增大，该行为惊人地类似于高 $T_c$ 铜氧化物中 $d$ 波态与赝能隙相所观测到的现象，而粒子激发能量减小。准粒子峰高在 $(\pi/2, \pi/2)$ 附近最大，而在 $(\pi, 0)$ 附近最小。这些谱特征在 $T_N$ 之上依然存在。温度窗口 $T_N \lesssim T \lesssim T^*$ 随次近邻跃迁增大而收缩，表明次近邻跃迁可能并不利于类赝能隙特征。