中子辐照 CMOS 单片有源像素传感器中寄生表面损伤的影响与抑制

CMOS 单片有源像素传感器（MAPS）被选为 STAR、CBM 以及升级后的 ALICE-ITS 顶点探测器的传感器技术。它们也是未来 e+e- 对撞机径迹探测器的有价值选项。这些应用要求对电离辐射和非电离辐射都具有极高的耐受性。为了能够有针对性地优化辐射耐受性，通过使用纯电离辐射（例如软 X 射线）或可用的最纯非电离辐射源（例如反应堆中子）辐照器件来测试原型。在第二种情况下，通常假设中子束中存在的寄生 $\gamma$ 射线的影响可以忽略不计。我们通过使用 $\gamma$ 射线辐照 MAPS 并将其产生的辐射损伤与中子辐照传感器中的损伤进行比较来检验这一假设。我们得出结论，寄生辐射剂量可能导致不可忽略的辐射损伤。基于这些结果，我们提出了一种识别和抑制相关寄生电离辐射损伤影响的程序。