激光驱动半导体量子阱中 Floquet-Dirac 半金属的边界态
介观与纳米尺度物理
2020-12-16 v2 材料科学
摘要
在广泛凝聚态系统中观测到的能带交叉被认为是理解表现为无质量 Dirac 粒子的低能费米子激发的关键。尽管该领域进展迅速，对非平衡拓扑态的探索仍然稀少，且其具有提供创造意外无质量 Dirac 态新平台的潜在能力。在此我们展示，在线性偏振连续波激光驱动的半导体量子阱中，光学 Stark 效应导致体能带交叉，由此产生的 Floquet-Dirac 半金属相在将电子限制于垂直于激光偏振方向的边界条件下，在投影一维布里渊区中支持一种非常规边界态。进一步，我们揭示该边界态介导了由调节激光强度引起的拓扑与非拓扑边界态之间的转变。我们还展示在不同边界条件下边界态的性质发生显著变化。研究发现这种差异源于在布里渊区高对称点为间某一中间区域中存在近乎四重简并点。
引用
@article{arxiv.2008.06198,
title = {Edge states of Floquet-Dirac semimetal in a laser-driven semiconductor quantum-well},
author = {Boyuan Zhang and Nobuya Maeshima and Ken-ichi Hino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.06198},
year = {2020}
}