边缘化学效应对氮化硼量子点结构、电子及电响应性质的影响
材料科学
2014-09-23 v1 介观与纳米尺度物理
化学物理
计算物理
摘要
本文研究了边缘氢化和羟基化对六方氮化硼量子点 (h-BNQDs) 相对稳定性和电子性质的影响。研究发现，锯齿形边缘的羟基化会导致 h-BNQDs 显著的能量稳定化，并使其电子能隙相较于氢化对应物减小。施加外部面内电场会导致能隙单调减小。与边缘氢化的对应物相比，要使锯齿形边缘羟基化的 h-BNQDs 实现完全能隙闭合，所需的电场强度显著更低。这些结果表明，边缘化学可能为设计基于纳米级六方氮化硼系统的稳定且鲁棒的电子器件提供了一条可行的途径。
引用
@article{arxiv.1404.4264,
title = {Edge Chemistry Effects on the Structural, Electronic, and Electric Response Properties of Boron Nitride Quantum Dots},
author = {Dana Krepel and Lena Kalikhman-Razvozov and Oded Hod},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.4264},
year = {2014}
}
备注
16 pages, 9 figures