石墨烯中缺陷的双探针光谱指纹
介观与纳米尺度物理
2015-01-27 v1
摘要
实验技术的最新进展强调了在分析纳米尺度样品时使用多种扫描探针技术的有用性。在此，我们从理论上分析了探针间距在纳米范围内的双探针装置，即在低温下可观察到量子相干效应的机制。在双探针装置中，电子在一个探针处注入并在另一个探针处收集。测得的电导反映了纳米尺度的局部输运性质，从而提供了与标准单探针装置（局部态密度）所获信息互补的信息。在本工作中，我们开发了一种实空间格林函数方法来计算电导。这需要扩展标准的计算方案，后者通常处理探针之间的有限样品。相比之下，所开发的方法不对样品尺寸做任何假设（例如扩展的石墨烯片）。应用此方法，我们研究了原始石墨烯片中的输运各向异性，并分析了由单点缺陷（如空位和吸附原子）周围的量子干涉产生的光谱指纹。此外，我们证明了双探针装置是表征扩展缺陷或设计纳米结构的电子输运性质的有用工具。特别是，我们展示了石墨烯片中的纳米级穿孔或反点显示出具有强烈依赖于穿孔边缘几何形状的 Fano 型共振。
引用
@article{arxiv.1405.0385,
title = {Dual-probe spectroscopic fingerprints of defects in graphene},
author = {Mikkel Settnes and Stephen R. Power and Dirch H. Petersen and Antti-Pekka Jauho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.0385},
year = {2015}
}