碲化锗薄膜中畴壁迁移介导的铁电翻转与Rashba效应调控

碲化锗（GeTe）被确定为铁电Rashba半导体，是未来计算和存储应用中电子器件的有前景候选材料。然而，其微观尺度上的铁电翻转仍有待理解。在此，我们提出畴壁的迁移可能是介导铁电翻转的机制。通过采用$ab~initio$方法，该机制的特征是能垒为$66.8$ meV/nm$^2$，处于适合保持性和可翻转性的范围内。伴随畴壁迁移，净Rashba效应是可调控的，因为它是具有相反电极化层之间竞争的结果。这些结果揭示了GeTe中的铁电翻转机制，为设计潜在的基于GeTe的器件铺平了道路。