强关联拓扑绝缘体SmB6模型中的不同拓扑晶体相
强关联电子
2015-10-12 v1 材料科学
摘要
SmB6最近被提议为一种强拓扑绝缘体兼拓扑晶体绝缘体。对于此及相关的立方拓扑近藤绝缘体，我们证明了四种不同拓扑相的存在，它们由镜面陈数的符号区分。我们用简单的可观测量刻画这些相，并为每个相提供了具体的紧束缚模型。基于SmB6的理论与实验结果，我们断定它实现的是具有 C^+_{k_z=0}=+2, C^+_{k_z=pi}=+1, C^+_{k_x=k_y}=-1 的相，并提出了相应的最小模型。
引用
@article{arxiv.1505.03507,
title = {Distinct topological crystalline phases in models for the strongly correlated topological insulator SmB6},
author = {Pier Paolo Baruselli and Matthias Vojta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.03507},
year = {2015}
}
备注
5+4 pages, 3 figs