关联拓扑绝缘体SmB6一般表面上的自旋纹理
强关联电子
2016-05-12 v1
摘要
采用SmB的一系列紧束缚模型的展开，我们解析地计算了通用表面上的拓扑表面态。我们展示了Dirac锥自旋结构如何依赖于模型要素以及表面法线与主晶轴之间的角度。我们将一般理论应用于、、和表面，为此我们提供了表面态自旋图案的具体预测，并与紧束缚结果进行了比较。如先前工作所示，表面上的自旋图案可与镜像陈数的数值相关联，我们探讨了具有不同镜像陈数的态之间的拓扑相变的可能性以及表面态自旋结构的相应变化。这种相变可通过改变哈密顿量中的杂化项或低能多重态的晶体场劈裂来实现，我们计算了相应的相图。
引用
@article{arxiv.1602.00852,
title = {Spin textures on general surfaces of the correlated topological insulator SmB6},
author = {Pier Paolo Baruselli and Matthias Vojta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.00852},
year = {2016}
}