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混合价镱硼化物中的拓扑晶体近藤绝缘体

强关联电子 2014-01-20 v2

摘要

本文利用局部密度近似(LDA)并结合 Gutzwiller 方法和动力学平均场理论(DMFT),研究了两种混合价绝缘体 YbB6_6 和 YbB12_12 的电子结构。发现 YbB6_6 是一种中等关联的 Z2_2 拓扑绝缘体,类似于 SmB6_6,但具有更大的体带隙。值得注意的是,YbB12_12 被揭示处于一种新颖的量子态,即强关联拓扑晶体近藤绝缘体,其特征在于非零的镜像陈数。表面计算分别发现 YbB6_6 和 YbB12_12 具有奇数(三个)和偶数(四个)个 Dirac 锥。

关键词

引用

@article{arxiv.1308.5607,
  title  = {Topological Crystalline Kondo Insulator in Mixed Valence Ytterbium Borides},
  author = {Hongming Weng and Jianzhou Zhao and Zhijun Wang and Zhong Fang and Xi Dai},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1308.5607},
  year   = {2014}
}

备注

5 pages, 4 figures and 1 table