硅中掺杂剂阵列的抗无序输运

硅中磷施主链和阵列最近被用于演示基于掺杂剂的量子模拟器。制造器件中存在的掺杂剂无序必须被考虑在内。在此，我们从理论上研究了通过无序的基于施主的 $3\times 3$ 阵列的输运，以对近期的实验结果进行建模。我们采用了一种理论，将该阵列的扩展 Hubbard 模型的精确对角化与非平衡格林函数形式相结合，以模拟相互作用系统中的输运。我们表明，通过阵列的电流和测量的稳定性图特征对无序具有很强的抗性。我们将其解释为在由强关联主导的多电子系统中出现的一种简单行为，无论阵列填充如何，电流都遵循源极和漏极位置之间避开可能障碍物的最短路径。参考 $3\times 3$ 阵列的输运性质与仅通过链间库仑相互作用耦合的三条平行 3 位点链非常相似，这表明表征此类器件是一项挑战。