超薄(001)MgO隧道势垒层中的无序、缺陷与带隙
其他凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
我们报道了在(001)Fe上生长的1.5至3纳米(001)织构MgO层电子结构的扫描隧道谱研究。厚MgO层表现出类似体材料的带隙,约为5-7 eV,并具有稀疏的局域缺陷态,其特征可归因于氧空位,在某些情况下还有镁空位。薄MgO层表现出指示相互作用缺陷态形成带尾的电子结构,在最薄的情况下,带尾延伸至费米能级约0.5 V处。这些空位缺陷归因于MgO/Fe晶格失配引起的压应变,该应变在MgO生长过程中得到调节。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0603734,
title = {Disorder, defects and bandgaps in ultra thin (001) MgO tunnel barrier layers},
author = {P. G. Mather and J. C. Read and R. A. Buhrman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0603734},
year = {2007}
}