MgB2 超导体中的微结构与结构缺陷
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
我们报告了对压制多晶MgB2中微结构与缺陷的详细研究。TEM和X射线数据揭示，MgO是我们 Bulk样品中主要的第二相。尽管MgB2与MgO具有不同的晶体对称性，分别为P6/mmm和Fm-3m，但它们在Mg和B（或O）的堆积序列以及在某些晶学取向下的晶格间距非常相似。MgO的尺寸范围为10~500nm，其与MgB2基体的错配可能是位错的来源。MgB2中的位错通常具有<100>的布尔根矢量。还观察到1/3<1-10>和1/3<210>部分位错及其相关的堆积错位。由于位错和堆积错位位于(001)基面，因此预期会出现通量阱各向异性。漫散射分析表明，无缺陷基面沿c轴的相关长度约为50nm。(001)扭曲晶界由沿c轴旋转形成，由于Mg和B原子之间垂直方向的弱键合，MgB2中主要为晶界。 some grain boundaries中观察到Mg的过量。高分辨率纳米探针EELS揭示，来自晶界和晶体内部的硼K边近边缘结构存在差异。边缘阈值的变化可能暗示了空穴浓度的变化，这会显著改变晶界超导性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105311,
title = {Microstructure and Structural Defects in MgB2 Superconductor},
author = {Y. Zhu and L. Wu and V. Volkov and Q. Li and G. Gu and A. R. Moodenbaugh and M. Malac and M. Suenaga and J. Tranquada},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105311},
year = {2009}
}
备注
20 pages and 12 figures