方向性临界性与更高阶平整度：在三维中设计范氏奇点
强关联电子
2026-04-13 v2 材料科学
摘要
范氏奇点（VHSs）在驱动关联电子现象中起关键作用。传统分类仅关注所有方向梯度为零的临界点。本文建立了三维体系中范氏奇点的统一分类，依据梯度分量数及Hessian特征值的消失情况：普通（M型）、更高阶（T1、T2、T3型）、非临界普通（N0、N1、N2型）和非临界更高阶（S1、S2型）类型。非临界VHS表现为方向性消失：在二维子空间中梯度消失，而在正交方向上保持有限，从而产生具有不同能级依赖性的有限DOS增强。我们利用具有自旋轨道耦合的扭曲四棱柱晶格s轨道紧束缚模型，演示所有奇异类别均可通过受控调控hopping比例，在不同高对称点上实现。本工作确立方向性临界性和更高阶平整度作为在三维量子材料中设计DOS增强的原则。
引用
@article{arxiv.2604.07806,
title = {Directional Criticality and Higher-Order Flatness: Designing Van Hove Singularities in Three Dimensions},
author = {Hua-Yu Li and Hengxin Tan and Hao-Yu Zhu and Hong-Kuan Yuan and Min-Quan Kuang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.07806},
year = {2026}
}
备注
6 pages, 3 figures, 1 table