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凯格目拓扑能带中的高阶范德沃特奇点

介观与纳米尺度物理 2025-02-11 v3

摘要

为探索更高阶范德沃特奇点(HOVHS)在能带结构中的应用,我们研究了一个由最近邻(NN)和次近邻(NNN)跳跃幅值构成的无自旋费米子凯格目系统。虽然NN跳跃保持时间反演对称性,但NNN跳跃类似于哈德纳晶格上的手性跳跃,打破了时间反演对称性,导致形成具有Chern数范围 C=±1C = \pm 1±4\pm 4 的拓扑能带。我们对能带在高对称点 Γ\boldsymbol{\Gamma}±K\pm \boldsymbol{K} 以及 Mi\boldsymbol{M_i}i=1,2,i=1,2,33)附近进行了分析,这揭示了由NNN跳跃幅值和相位控制的丰富而复杂的HOVHS结构。我们观察到能态密度(DOS) ρ(ϵ)ϵν\rho(\epsilon) \sim |\epsilon|^{-\nu} 存在幂律发散,指数为 ν=1/2,1/3,1/4\nu = 1/2, 1/3, 1/4,这在费米能级跨越HOVHS时会显著影响低温下的异常霍尔响应。此外,NNN跳跃还导致中间谱段中形成高Chern数能带 C=±2,±4C = \pm 2, \pm 4,遵循亚格子干涉规律,当动量接近布里渊区边界上的三个高对称点 Mi\boldsymbol{M_i}i=1,2,i=1,2,33)时,电子态在每个亚格子中最大化局域化。这种对凯格目系统中HOVHS的分类,为探索由电子关联性引发的非常规电子有序性提供了平台。

关键词

引用

@article{arxiv.2410.07000,
  title  = {Higher-Order Van Hove Singularities in Kagome Topological Bands},
  author = {Edrick Wang and Lakshmi Pullasseri and Luiz H. Santos},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2410.07000},
  year   = {2025}
}

备注

11 pages, 7 figures