硅中注入电子 - 空穴等离子体自压缩的直接证据
材料科学
2008-06-13 v3
摘要
通过室温下的空间扫描实验，获得了硅 p-n 发光二极管的电致发光强度表面分布。二极管的发光表面由少数几个明亮的小发光点和点外微弱发光区域组成，这直接证明了硅中注入电子 - 空穴等离子体的自压缩现象。等离子体自压缩解释了注入载流子向一个或少数几个强发光等离子体液滴的集中。
引用
@article{arxiv.0801.2528,
title = {Direct evidence of the self-compression of injected electron-hole plasma in silicon},
author = {Pavel Altukhov and Evgenii Kuzminov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.2528},
year = {2008}
}
备注
3 pages, 2 figures, published in Physica Status Solidi (b)