重掺硼硅纳米结构的圆偏振电致发光
介观与纳米尺度物理
2015-05-28 v1
摘要
本文研究了p型超窄硅量子阱（Si-QW）被重掺硼（浓度为5×10^21 cm^-3）的δ势垒所约束的硅纳米结构的圆偏振电致发光（CPEL）随温度和激发水平的变化。CPEL对正向电流和温度的依赖关系表明，所发射的圆偏振光似乎是由Si-QW δ势垒界面处负U偶极硼中心上的激子复合引起的。
引用
@article{arxiv.1104.4915,
title = {Circularly polarized electroluminescence from silicon nanostructures heavily doped with boron},
author = {N. T. Bagraev and L. E. Klyachkin and R. V. Kuzmin and A. M. Malyarenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.4915},
year = {2015}
}