正电子在球形扩展缺陷及析出相—基体复合体中俘获与湮灭的扩散—反应模型

本文给出了正电子在小尺寸球形扩展缺陷（团簇、空位、小析出相）中俘获与湮灭的扩散—反应模型的精确解，其中还包含空位型点缺陷中竞争性的速率限制俘获。获得了正电子平均寿命以及与缺陷俘获相关的两个正电子寿命分量的强度的闭式表达式。该精确解可方便地用于实验数据分析，并能够评估通常采用的借助有效扩散—俘获速率来考虑扩散限制的方法在何种程度上是合适的。该模型进一步扩展至更大的析出相，其中不仅考虑了从基体到析出相—基体界面的扩散限制与反应限制俘获，还考虑了从析出相内部到界面的俘获。这使得该模型适用于所有类型的复合结构，其中球形物体嵌入基体中，而与其尺寸和数密度无关。