变能正电子缺陷剖面扩散俘获模型的精确解
材料科学
2015-06-16 v1
摘要
我们报道了所谓正电子扩散俘获模型的精确解析解。该模型已广泛用于利用变能正电子 (VEP) 束技术处理邻近表面层缺陷剖面的实验数据。然而，迄今为止，该模型只能借助所谓的 VEPFIT 程序进行数值处理。针对缺陷剖面由离散阶梯函数和连续指数函数描述的实际情形，我们获得了显式解。我们的解允许推导典型正电子湮灭特征的解析表达式，包括正电子寿命谱。后者可利用脉冲慢正电子束进行测量。我们的解析结果与 VEPFIT 数值计算及实验数据均吻合良好。所提出的解易于推广至其他形状的缺陷剖面，并可更好地用于上述实验数据的更精确处理。
引用
@article{arxiv.1308.0685,
title = {The exact solution of the diffusion trapping model of defect profiling with variable energy positrons},
author = {V. A. Stephanovich and J. Dryzek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.0685},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 7 PDF figures