类氙钨离子的双电子复合
原子物理
2011-02-01 v1 等离子体物理
摘要
在重离子储存环上对类氙W20+形成W19+的双电子复合过程进行了实验研究。采用合并束方法获得了碰撞能量范围0-140 eV内电子-离子复合的绝对速率系数。即使在最低实验能量下，测得的速率系数也由强的双电子复合共振主导。在聚变等离子体中W20+丰度预计达到峰值的等离子体温度下，实验导出的等离子体复合速率系数比目前用于聚变等离子体建模的理论计算速率系数大4倍以上。这种差异的最大部分很可能源于理论计算中忽略了与W20+([Kr] 4d10 4f8)离子芯精细结构激发相关的双电子复合。
引用
@article{arxiv.1101.0719,
title = {Dielectronic recombination of xenonlike tungsten ions},
author = {S. Schippers and D. Bernhardt and A. Müller and C. Krantz and M. Grieser and R. Repnow and A. Wolf and M. Lestinsky and M. Hahn and O. Novotný and D. W. Savin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.0719},
year = {2011}
}
备注
7 pagers, 4 figures, accepted for publication in Physical Review A