N V 和 Ne VIII 低温电离复合速率系数的实验测定
天体物理学
2009-11-10 v1
摘要
在重离子储存环中测量了 N V 和 Ne VIII 离子的电离复合速率系数。调查的能量范围覆盖了所有与 2s → 2p (Δn=0) 核心激发相关的电离复合共振。推导并参数化了等离子体中的速率系数，并采用便于使用的拟合公式。实验得到的速率系数与 Colgan 等 (2004, A&A, 417, 1183) 和 Nahar & Pradhan (1997, ApJ, 111, 339) 的理论数据以及 Mazzotta 等 (1998, A&A, 133, 403) 的推荐值进行比较。Colgan 等和 Nahar & Pradhan 的数据在 N V 和 Ne VIII 预期存在于光离子化及碰撞离子化等离子体中的温度范围内，与实验结果非常吻合。相比之下，Mazzotta 等的推荐值仅在碰撞离子化温度范围内与实验速率系数一致。在较低温度下，偏离实验测得的速率系数相差数个数量级。此外，还研究了外部电场 (场强至 1300 V/cm) 对电离复合速率系数的影响。
引用
@article{arxiv.astro-ph/0503221,
title = {Experimental N V and Ne VIII low-temperature dielectronic recombination rate coefficients},
author = {S. Boehm and A. Mueller and S. Schippers and W. Shi and M. Fogle and P. Glans and R. Schuch and H. Danared},
journal= {arXiv preprint arXiv:astro-ph/0503221},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 9 figures, to be published in Astronomy & Astrophysics