W^20+ (4d^10 4f^8)的双电子复合：处理半开f壳层
原子物理
2012-04-11 v1
摘要
最近对W^20+的双电子复合(DR)的测量发现，近阈值共振(<1eV)有异常大的贡献。这仍然影响了在更高温度下的麦克斯韦速率系数。实验结果比目前在100-300eV范围内使用的值大4倍或更多，该范围与磁约束聚变等离子体的建模相关。我们使用AUTOSTRUCTURE进行了DR计算，其中包括所有显著的单电子激发。我们的中间耦合(IC)结果在1eV处比我们的LS耦合结果大4倍以上，但仍比实验值小3倍。如果我们假设近阈值自电离态的完全(混沌)混合，那么我们的结果在约2eV以下与实验一致(在20%以内)。在100-300eV范围内，我们的总IC麦克斯韦速率系数比基于实验的结果小50-30%。
引用
@article{arxiv.1204.2187,
title = {Dielectronic recombination of W^20+ (4d^10 4f^8): addressing the half-open f-shell},
author = {N. R. Badnell and C. P. Ballance and D. C. Griffin and M. O'Mullane},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.2187},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 8 figures, submitted to Phys.Rev.A