动态有限密度等离子体介电复合数据 XV. 硅等电子序列
原子物理
2018-03-14 v1
摘要
我们旨在对硅样等电子序列的介电复合（DR）进行全面的理论研究，并提供可用于广义碰撞辐射建模框架的 DR 与辐射复合（RR）数据。确定了 与 之间 16 个离子的基态与亚稳态初始能级的总的及末态能级分辨的 DR 与 RR 速率系数。我们在独立过程、孤立共振、畸变波（IPIRDW）近似下，对硅样离子进行了多组态 Breit-Pauli（MCBP）DR 计算。采用 与中间耦合方案，同时包含 与 的芯激发。对选定数量的离子给出了结果，并与所有其他已有的理论与实验数据进行了比较。基态的总介电复合与辐射复合速率系数以表格形式给出，以便于植入光谱建模代码。这些数据也可从原子数据分析结构（ADAS）OPEN-ADAS 数据库获取。本工作是构建用于动态有限密度等离子体建模的介电复合数据库的一部分。
引用
@article{arxiv.1801.10057,
title = {Dielectronic recombination data for dynamic finite-density plasmas XV. The silicon isoelectronic sequence},
author = {Jagjit Kaur and T. W. Gorczyca and N. R. Badnell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.10057},
year = {2018}
}