利用像差校正 STEM 中定量位置平均非相干明场信号确定轴向晶体厚度
材料科学
2012-09-11 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
样品厚度的精确测定对于定量分析电子显微学至关重要。本文证明,以绝对尺度记录的位置平均非相干明场信号可用于确定轴向晶体的厚度,精度可达 \pm1.6 nm。该方法同时测量样品的结晶部分与非结晶部分(表面非晶层)。然而,它避免了由表面等离激元对电子能量损失谱所估计的非弹性平均自由程厚度的贡献所引起的系统误差。
引用
@article{arxiv.1110.6700,
title = {Determining On-Axis Crystal Thickness with Quantitative Position-Averaged Incoherent Bright-Field Signal in an Aberration-corrected STEM},
author = {Huolin L. Xin and Ye Zhu and David A. Muller},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.6700},
year = {2012}
}
备注
25 pages, 6 figures. Related to http://arxiv.org/abs/1110.5018. Microscopy and Microanalysis, accepted