在 p-n异结合器中检测自旋伏特效应
材料科学
2009-11-11 v2 其他凝聚态物理
摘要
报道了模型计算和圆偏振光依赖光电流的实验数据，针对 n-AlGaAs/p-InGaAs/p-GaAs 异结合结构。在合适的正偏置条件下，发现自旋伏特效应 (SVE) 可通过异结合器并产生可检测的偏振依赖光电流信号，这些信号大于由磁性圆二色性引起的信号。我们的分析表明，通过优化层厚度、掺杂轮廓和施加偏置，可增强 SVE，从而使其适合于实现基于半导体的偏振探测器，即自旋光二极管 (spin-PD)。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509756,
title = {Detection of spin voltaic effect in a p-n heterojunction},
author = {T. Kondo and J. Hayafuji and H. Munekata},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509756},
year = {2009}
}
备注
16 pages, 3figures