反向偏置平面 pn 结中自旋霍尔电压的增强
介观与纳米尺度物理
2016-08-17 v1
摘要
我们报道了在 GaAs/AlGaAs 霍尔条微器件中，利用 pn 结处扩展的耗尽区实现自旋霍尔电压局域放大的实验演示。实验表明，在低温下通过施加反向偏压，耗尽区可在空间上扩展至少 10~m。在耗尽区状态下，相同电流流经微器件时，自旋霍尔信号比正常状态下高出超过一个数量级。研究表明，pn 偏压对检测到的自旋霍尔信号有两个显著影响。它控制着霍尔交叉处的局域漂移场，由于耗尽前沿的移动，该漂移场对 pn 偏压呈高度非线性依赖。同时，由于霍尔交叉处载流子密度随 pn 偏压发生非线性变化，它引起了自旋输运参数的改变。
引用
@article{arxiv.1605.04109,
title = {Enhancement of the spin Hall voltage in a reverse-biased planar pn-junction},
author = {L. Nádvorník and K. Olejník and P. Němec and V. Novák and T. Janda and J. Wunderlich and F. Trojánek and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.04109},
year = {2016}
}