霍尔条微器件中光到电荷与自旋的高效转换
介观与纳米尺度物理
2016-05-16 v1
摘要
我们报道了在 GaAs/AlGaAs 霍尔条微器件中，利用 pn 结处扩展的耗尽区对自旋霍尔电压进行局部放大的实验演示。实验表明，在低温下通过施加反向偏压，耗尽区可在空间上扩展至少 10 μm。在耗尽状态下，当流经微器件的电流相同时，自旋霍尔信号比正常状态下的值高出一个数量级以上。研究表明，pn 偏压对检测到的自旋霍尔信号有两种不同的影响：它控制霍尔交叉处的局部漂移场，该场由于耗尽前沿的移动而对 pn 偏压呈高度非线性依赖；同时，由于霍尔交叉处的载流子密度随 pn 偏压发生非线性变化，它也引起了自旋输运参数的改变。
引用
@article{arxiv.1605.04116,
title = {Efficient conversion of light to charge and spin in Hall-bar microdevice},
author = {L. Nádvorník and J. A. Haigh and K. Olejník and A. C. Irvine and V. Novák and T. Jungwirth and J. Wunderlich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.04116},
year = {2016}
}