利用半掺杂锰氧化物设计用于多比特存储的多级电阻态
应用物理
2019-02-13 v1 材料科学
强关联电子
摘要
设计非易失性多级电阻器件是超越传统单比特存储系统从而提升存储密度的时代需求。在此，我们探索电子相竞争场景，利用半掺杂 CE 型电荷有序绝缘体块体锰氧化物 Sm_{0.5}Ca_{0.25}Sr_{0.25}MnO_3（SCSMO）来设计多级电阻态。通过在 SCSMO 中以可控方式引入电子相共存，我们展示该系统可稳定于若干亚稳态，在热循环下直至 62 K 均保持稳定。因此磁化强度（与电阻率）在热循环期间保持不变。采用包含超交换、电子-声子耦合和淬灭无序的两带双交换模型的蒙特卡洛计算表明，由于 SCSMO 中的化学无序，系统在热循环期间冻结为相共存亚稳态。利用所获见解，我们勾勒出一条利用四种可逆亚稳态电阻态来设计原型多比特存储器的路径。
引用
@article{arxiv.1902.04377,
title = {Designing multi-level resistance states for multi-bit storage using half doped manganites},
author = {Sanjib Banik and Kalipada Das and Kalpataru Pradhan and I. Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.04377},
year = {2019}
}
备注
5 figures, 5 supplementary figures