TiZrV-Pd薄膜的直流磁控溅射沉积与表征
加速器物理
2016-01-20 v1 材料科学
摘要
TiZrV薄膜主要应用于存储环的超高真空管道。为延长非蒸散型吸气剂的使用寿命并提高对H2的抽速，将钯薄膜添加于TiZrV薄膜之上，采用氩气作为溅射气体，通过直流磁控溅射在不锈钢管内表面沉积了该钯薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)研究了TiZrV-Pd薄膜的性能。TiZrV与Pd薄膜的晶粒尺寸分别约为0.42~1.3 nm和8.5~18.25 nm。研究发现TiZrV薄膜的粗糙度较小，约为2~4 nm，而Pd薄膜的粗糙度较大，约为17~19 nm。根据XPS测试结果，TiZrV/Pd薄膜中Pd的原子百分比在86.84至87.56之间变化。
引用
@article{arxiv.1503.08977,
title = {Deposition and characterization of TiZrV-Pd thin films by dc magnetron sputtering},
author = {Jie Wang and Bo Zhang and Yan-Hui Xu and Wei Wei and Le Fan and Xiang-Tao Pei and Yuan-Zhi Hong and Yong Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.08977},
year = {2016}
}
备注
13 pages,Chinese Physics C