δ掺杂β-氧化镓场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2017-05-24 v1 仪器与探测器
摘要
我们报道了利用快门脉冲技术在等离子体辅助分子束外延生长的氧化镓（β-Ga2O3）中实现的硅δ掺杂。我们描述了可用于在氧化性氧等离子体环境中实现高硅掺入的生长步骤。利用δ掺杂实现了薄层（12 nm）低电阻层，其薄层电阻为 320 Ω/□（迁移率为 83 cm²/Vs，积分薄层电荷为 2.4×10¹⁴ cm⁻²）。采用单个δ掺杂载流子片层作为沟道，实现了场效应晶体管，其最大漏极电流 ID,MAX = 292 mA/mm，跨导 gM = 27 mS/mm。
引用
@article{arxiv.1702.06584,
title = {Delta-doped Beta- Gallium Oxide Field Effect Transistor},
author = {Sriram Krishnamoorthy and Zhanbo Xia and Sanyam Bajaj and Mark Brenner and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.06584},
year = {2017}
}
备注
5 figures