钌上单层氧化硅中的简并外延驱动缺陷
材料科学
2015-10-30 v1
摘要
借助高分辨扫描隧道显微镜和第一性原理计算，在化学灵敏度下揭示了制备于钌表面的极薄晶体型氧化硅的结构，直至原子尺度。观测到有序氧晶格与二维单层氧化物共存。这种共存标志着从氧重构的Ru(0001)到氧化硅的位移型相变，在此过程中形成横向偏移的畴，每个畴与衬底具有等价且简并的外延关系。这些畴间边界处缺陷的不可避免性呼吁开发能够制备单晶二维氧化物的替代方法。
引用
@article{arxiv.1510.08607,
title = {Degenerate epitaxy-driven defects in monolayer silicon oxide onto ruthenium},
author = {Shashank Mathur and Sergio Vlaic and Eduardo Machado-Charry and Anh-Duc Vu and Valérie Guisset and Philippe David and Emmanuel Hadji and Pascal Pochet and Johann Coraux},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.08607},
year = {2015}
}