吸附原子诱导的外延硅烯中位错湮灭
材料科学
2020-10-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用自发形成的 ZrB 薄膜上外延硅烯的条状畴结构在吸附亚单层硅后转变为单畴的过程，研究了位错在二维蜂窝结构中如何反应并最终湮灭。沉积 Si 后畴结构演化的原位实时 STM 监测揭示了通过部分位错的逐步反应在畴结构中成核单畴的机制。成核之后，单畴通过其边界处刃型位错的传播而扩展。对这种无位错硅烯薄片特有的成核-传播形成方式的识别，为二维材料中如何修复晶体缺陷提供了见解。
引用
@article{arxiv.2010.07519,
title = {Adatom-induced dislocation annihilation in epitaxial silicene},
author = {Antoine Fleurence and Yukiko Yamada-Takamura},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.07519},
year = {2020}
}