Ru(0001)上极薄硅氧化物的电子能带结构
材料科学
2019-05-02 v1
摘要
硅氧化物在金属衬底上制备时可形成结晶形态。它是候选的支撑催化剂，并可能是二维材料（2D）及异质结构中电介质宿主材料的极薄版本。我们确定了在Ru(0001)上外延生长的该氧化物极薄版本的原子结构与化学键合。特别地，我们确立了由涉及不等价衬底位点的金属-氧-硅桥所定义的两个子晶格的存在。我们进一步发现了费米能级以下高结合能处的四条电子能带，其中两条在K点形成狄拉克锥，另外两条形成半平带。后两条对应于氧化物与金属之间的杂化态，而前两条则关联于最顶层的硅-氧平面，其未与衬底直接耦合。我们的分析基于高分辨X射线光电子能谱、角分辨光电子能谱、扫描隧道显微镜以及密度泛函理论计算。
引用
@article{arxiv.1902.04514,
title = {Electronic band structure of ultimately thin silicon oxide on Ru(0001)},
author = {G. Kremer and J. C. Alvarez-Quiceno and S. Lisi and T. Pierron and C. González Pascual and M. Sicot and B. Kierren and D. Malterre and J. Rault and P. Le Fèvre and F. Bertran and Y. J. Dappe and J. Coraux and P. Pochet and Y. Fagot-Revurat},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.04514},
year = {2019}
}
备注
Main part : 31 pages, 6 figures / Supporting information : 13 pages, 11 figures