Al(111)上3×3有序硅层的电子结构
材料科学
2020-07-01 v1
摘要
本文利用同步辐射角分辨光电子能谱(ARPES)技术研究了Al(111)上硅(Si)层3×3有序相的电子结构，并采用试探原子模型对其进行建模。识别出源于线性色散带的闭合费米面。对Al(111)上蜂窝状硅烯的试探原子模型进行的能带结构计算表明，该金属能带源于具有类狄拉克锥色散曲线的Al-Si杂化态。Al(111)上的Si层可以作为Xene的模型系统，通过覆盖层-衬底相互作用实现无质量电子系统。
引用
@article{arxiv.2005.05522,
title = {Electronic structure of a 3x3-ordered silicon layer on Al(111)},
author = {Y. Sato and Y. Fukaya and M. Cameau and A. K. Kundu and D. Shiga and R. Yukawa and K. Horiba and C. -H. Chen and A. Huang and H. -T. Jeng and T. Ozaki and H. Kumigashira and M. Niibe and I. Matsuda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.05522},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 6 figures