重掺杂石墨烯中 (d+id) 波超导态的缺陷
超导电性
2014-12-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在掺杂接近 Van Hove 奇点的石墨烯中，很可能出现破坏手性时间反演对称性的 (d+id) 波超导态。由于重掺杂过程预计会引入缺陷，我们在此研究了 Van Hove 奇点处微观缺陷对 (d+id) 波超导态的影响。我们发现，虽然超导序在缺陷附近减弱，但 (d+id) 波态保持完整，并在远离缺陷处以指数方式恢复。对于弱耦合，恢复长度约为一个晶格常数。这与常规 s 波态的恢复长度相当，表明非常规 (d+id) 波态对缺陷具有相当的韧性。此外，我们发现单点缺陷与更扩展的缺陷（如双空位）之间没有显著差异。虽然 (d+id) 波态是完全能隙的，但我们也表明缺陷会引入具有非零能量的局域化带隙中态，这些态应可通过扫描探针实验观测到。
引用
@article{arxiv.1402.3195,
title = {Defects in the (d+id)-wave superconducting state in heavily doped graphene},
author = {Tomas Löthman and Annica M. Black-Schaffer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.3195},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 8 figures