超越范霍夫奇点的石墨烯过掺杂

在极高水平掺杂下，石墨烯 $\pi^*$ 能带中的范霍夫奇点被占据，由多体相互作用驱动的可能新奇基态随之浮现。借助镱插层与钾吸附相结合，我们对碳化硅上外延石墨烯进行 $n$ 型掺杂，越过 $\pi^*$ 范霍夫奇点，达到 5.5$\times$10$^{14}$ cm$^{-2}$ 的载流子密度。该 regime 标志着 Lifshitz 转变的明确完成，其中费米面拓扑已从两个电子袋演化为一个巨型空穴袋。角分辨光电子能谱确认这些改变由电子结构重整化而非刚性能带偏移所驱动。我们的结果开启了外延石墨烯相图中此前无法触及的超越范霍夫 regime，从而得以进入这一原型二维材料中潜在新奇相的未探索疆域。