扭转石墨烯层中Van Hove奇点的观测
介观与纳米尺度物理
2011-04-18 v1
摘要
费米能穿越态密度中的Van Hove奇点时产生的电子不稳定性，通常会导致物质的新相，如超导性、磁性或密度波。然而，在大多数材料中，这种条件很难控制。在单层石墨烯的情况下，该奇点距离费米能太远，因此难以通过标准掺杂和栅压技术达到。在此，我们报告了在扭转石墨烯层中对低能Van Hove奇点的观测，在扫描隧道谱测量的态密度中表现为两个显著的峰。我们证明，堆叠石墨烯层之间的旋转可以产生Van Hove奇点，并且可以通过改变旋转角度使其任意接近费米能。这为电子相的Van Hove奇点工程开辟了引人入胜的前景。
关键词
引用
@article{arxiv.0912.2102,
title = {Observation of Van Hove singularities in twisted graphene layers},
author = {Guohong Li and A. Luican and J. M. B. Lopes dos Santos and A. H. Castro Neto and A. Reina and J. Kong and E. Y. Andrei},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.2102},
year = {2011}
}
备注
21 pages 5 figures