van Hove 奇点附近电子的性质
强关联电子
2009-11-07 v1
摘要
大多数空穴掺杂的铜化合物的费米面接近 M 点处的 van Hove 奇点。一个二维电子体，其费米面接近 van Hove 奇点显示出多种弱耦合不稳定性。这是一个便于研究反歧磁性和各向异性超导性相互作用的便利模型。对 renormalization group 方法进行了回顾，重点强调了其背后的物理过程。描述了相图的一般性质以及由于靠近 van Hove 奇点导致的费米面的可能变形。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204257,
title = {Properties of electrons near a Van Hove singularity},
author = {M. A. H. Vozmediano and J. Gonzalez and F. Guinea and J. V. Alvarez and B. Valenzuela},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204257},
year = {2009}
}
备注
Proceedings of SNS-01 to appear in the Journal of Physics and Chemistry of Solids, SNS-01