拓扑绝缘体BiSbTeSe2中缺陷诱导的负磁阻与表面态免疫
介观与纳米尺度物理
2015-06-02 v1
摘要
背散射的缺失与弱反局域化的出现是拓扑绝缘体的两个特征。我们发现，在温度低于50 K时，缺陷的引入导致拓扑绝缘体BiSbTeSe2中的磁阻出现负贡献。我们的分析表明，负磁阻源于由引入无序所产生的缺陷态密度的增加，这使得表面态不受影响。我们发现负磁阻贡献的幅度随温度升高而减小，且拓扑表面态对外来无序具有鲁棒性。
引用
@article{arxiv.1506.00208,
title = {Defect induced negative magnetoresistance and surface state immunity in topological insulator BiSbTeSe2},
author = {Karan Banerjee and Jaesung Son and Praveen Deorani and Peng Ren and Lan Wang and Hyunsoo Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.00208},
year = {2015}
}