单个 InAs/GaAs 量子点中中性及带电激子复合物的衰变动力学
材料科学
2008-02-18 v1
摘要
报道了对 26 个不同单个 InAs/GaAs 量子点中的中性和带电激子复合物（X, XX, X+, 和 XX+）的系统性时间分辨测量结果。根据由激子精细结构决定的跃迁通道数量以及每个通道的特定跃迁时间，讨论了衰变时间的比率。测得的中性复合物比率为 1.7，偏离了理论预测值 2。预测带正电激子和双激子衰变时间的比率为 1.5，并与实测比率完全吻合，表明所涉跃迁通道具有相同的特定跃迁时间。
引用
@article{arxiv.0802.1010,
title = {Decay dynamics of neutral and charged excitonic complexes in single InAs/GaAs quantum dots},
author = {M. Feucker and R. Seguin and S. Rodt and A. Hoffmann and D. Bimberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.1010},
year = {2008}
}
备注
4 pages, 4 figures