Horndeski 理论中具有动量耗散的直流电导率

在本文中，我们考虑了两种四维 Horndeski 型引力理论，其标量场在双对偶边界理论中产生具有动量耗散的解。首先，我们研究了带有 Horndeski 轴子项和两个额外自由轴子的 Einstein-Maxwell 理论，其中额外自由轴子负责动量耗散。我们在该理论中构造了静态带电 AdS 平面黑洞解，并解析计算了对偶场论的全息直流电导率。然后我们将结果推广到黑洞解中包含磁荷的情况。其次，我们分析了带有两个用于动量耗散的 Horndeski 轴子的 Einstein-Maxwell 理论。我们获得了该理论中的 AdS 平面黑洞解，并计算了对偶场论的全息直流电导率。该理论存在一个临界点 $\alpha + \gamma \Lambda = 0$，越过该点后 Horndeski 轴子的动能项变为类鬼场。作为温度函数的电导率在临界点以下表现得定性上像导体，在临界点处变得像半导体。越过临界点后，Horndeski 场的类鬼性质与非物理的奇异或负电导率的出现相关。我们还考虑了上述理论的一些进一步推广。